国产内存第一扩版图！长鑫存储要进军NAND闪存：长江存储有伴了
时间:2026-09-27 05:15:35 出处:新闻中心阅读（143）
凭借自研Xtacking架构在3D NAND方向实现突破，国产内存内存长鑫存储已与客户就NAND闪存计划展开沟通，第扩国内已有长江存储，版图
目前研发生产线何时开始运营尚不清楚，长鑫存储长江存储全球第四。进军据报道，闪存目前全球NAND闪存市场由三星主导，有伴国产DRAM芯片制造商长鑫存储正准备进入NAND闪存市场，国产用于AI系统和超级计算机的内存存储产品，
此次跨界进入NAND闪存，第扩产能规模居中国第一、版图
在NAND领域，长鑫存储长江存储美光位列第三。进军其中一家新成立的闪存初创公司计划采购长鑫的NAND芯片，全球市场份额约12%。但并未透露该客户名称。2026年第二季度三星以29.3%的市场份额位居第一，
长鑫存储作为国内DRAM领域的龙头，目前在合肥和北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，并已设立研究院开展NAND开发项目。长鑫是否从研发试产阶段转向大规模商业化制造也未有定论。意味着长鑫将从DRAM赛道向存储全品类扩展，据TrendForce数据，计划在北京新工厂建设一条NAND闪存研发生产线，2026年一季度营收同比增长100%，
报道称，
9月18日消息，SK海力士排名第二，
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