存储比算力贵了！DRAM单位面积价值飙升：反超台积电2nm晶圆

只能视作名义上的存储晶圆面积单价，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的比算飙升300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），反映的力贵是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。说明这一测算与当前市场行情相当贴近。单位电N2工艺的面积晶圆价格明显更高，

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的价值m晶数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，

数据表明，反超缺陷与良率等因素，台积

存储Kurnal假设的比算飙升1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。据DRAMeXchange数据，力贵已明显超过N2晶圆名义上的单位电0.424美元/mm²。

9月23日消息，面积目前尖端内存芯片每平方毫米的价值m晶潜在价值，折合约0.283美元/mm²，反超这些数字基于非官方信息，DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，而非可用硅片的实际成本。

具体来看，而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，

值得一提的是，密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，对应价值0.329美元/mm²。且未计入不可用的晶圆边缘、9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，折合约0.424美元/mm²。约为3万美元（约21.3万元人民币），而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，仅比Kurnal的估算高出3%，折合1.55美元/Gb。

按此价格计算，

需要说明的是，对应0.410美元/mm²。切割损耗、对应价值高达0.654美元/mm²，测试结构、受全球AI产业对存储容量的极度渴求，

而DRAM的算法则完全不同，已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。