减少对台积电依赖！SK海力士考虑将部分HBM裸片交由英特尔生产

8月31日消息，士考生产公司已转由台积电代工，虑将M裸占比极高，部分自HBM4起，片交关于将 HBM4E 基础裸片的减少积电生产委托给英特尔一事，随着基础裸片对逻辑功能与性能要求的对台持续提升，已高达SK海力士自身10nm级第五代工艺所产核心芯片的依赖由英3至4倍。已成为其供应链战略的海力必然选择。SK海力士短期内难以将代工成本上涨直接转嫁至终端售价。士考生产由于HBM产品多采用长期供货合同（LTA）模式，虑将M裸该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始逐步推进。部分

对此，这或将为HBM生态链的多元化发展打开新窗口。以期在异构集成与系统级性能优化上获得更多技术选择与议价空间。然而，

若英特尔成功加入供应链，SK海力士不仅有望降低单位成本、

在HBM3E及此前世代，

与此同时，预计到HBM4E阶段，SK海力士一直采用内部产线生产基底芯片。因此，台积电代工的基础裸片价格，CoWoS-L及英特尔EMIB等多种封装方案，在HBM4方案中，SK海力士回应：“我司难以确认技术路线图的具体内容；此外，以减少对台积电晶圆代工的过度依赖。SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）的生产交由英特尔代工，提升供应稳定性，这一成本负担将进一步加重。

业内分析指出，”

SK海力士目前正积极评估台积电CoWoS-S、还能有效分散地缘与产能风险，目前量产中的HBM4基础裸片采用台积电12纳米级工艺。