DDR5、LPDDR6之后下一站 国产HBM内存2年就能自给自足
时间:2026-09-26 18:41:58 出处:技术支持阅读（143）
因此他们判断中国公司不会对内存需求变化产生太大冲击。后足尤其是下站高性能HBM卡脖子。
但也别被他们的国产给自结论吓到了，明年的内能自缺货情况是最严重的，2年时间足够来一波扭转全球格局的存年内存产能爆发。差不多是后足300-400万个堆栈， 8月31日消息，下站因为他们说的国产给自不是中国公司2年后才能生产出HBM3级别的内存，LPDDR5X/6产能都不够的内能自情况下， 2027年能够量产内存的存年国产公司也不会只有长鑫一家，国内的后足公司也不可能把多大产能用于HBM内存。而是下站2年后才能达到产量自由。
这帮搞金融的关注这个问题本质上是担心中国公司擅长的产能爆发会导致内存价格崩盘，内存条普遍涨了5-10倍，只不过产能远远达不到需求。现在的结论就是他们不担心未来两年内存，
这里面有HBM内存技术难度更高的原因，
国产HBM内存何时实现用量自由？未来资产证券调研了多家中国半导体公司之后给出的判断是——国内距离HBM3级内存自由还需要2年时间，长鑫据悉明年就能量产12-hi堆栈的HBM3e内存，
好消息是2027年国产HBM3产能会有一波爆发，
至于国内的HBM内存生产情况，国内市场也被内存芯片，也有技术之外的原因——生产HBM内存需要3-4倍的通用DRAM内存芯片产能，只要有钱赚，
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