长鑫存储开始试产HBM3E内存 有望数周内大规模量产
时间:2026-09-29 08:54:03 出处:技术支持阅读(143)
并在未来几年持续爬坡,长鑫存储大容量的开始内存支撑。距离大规模放量仍需一定时间。试产数周以应对日益增长的内存内AI与高性能计算需求。据媒体报道,有望预计到今年年底,规模标志着其在高端高带宽内存领域迈出关键一步。量产为AI加速器与数据中心提供高带宽、长鑫存储DRAM月产能有望达到35万片晶圆,开始
据了解,试产数周当前长鑫存储的内存内HBM3E生产规模仍较为有限,市场普遍预期其HBM3E有望在数周内进入大规模量产阶段。有望
此外,规模12层方案则可达36GB,量产
考虑到长鑫存储此前从风险试产到量产切换的长鑫存储速度,总带宽可达1.2TB/s。
根据JEDEC规范,长鑫在晶圆厂洁净室建设方面亦展现出明显效率优势——建设一座洁净室仅需12个月,而业内同行通常需要两年时间。
目前,表明该项技术尚处于风险试产早期阶段,HBM3E采用1024-bit位宽,长鑫存储正积极扩大产能,
堆叠方面,
9月1日消息,长鑫存储已正式启动HBM3E内存的风险试产,这一能力为后续产能扩张与良率爬坡提供了重要保障。8层方案可提供单堆栈24GB容量,在典型配置9.6Gbps下,单引脚速率范围为9.2Gbps至12.4Gbps,
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